E Laser Diode Array ass en Halbleiterapparat besteet aus multiple Laserdioden, déi an enger spezifescher Konfiguratioun arrangéiert sinn, sou wéi eng linear oder zweedimensional Array. Dës Dioden emittéiere kohärent Liicht wann en elektresche Stroum duerch si passéiert. Laser Diode Arrays si bekannt fir hir héich Kraaftoutput, well déi kombinéiert Emissioun aus der Array wesentlech méi héich Intensitéite erreechen kann wéi eng eenzeg Laserdiode. Si ginn allgemeng an Uwendungen benotzt, déi héich Kraaftdensitéit erfuerderen, sou wéi an der Materialveraarbechtung, medizinesche Behandlungen, a High-Power Beliichtung. Hir kompakt Gréisst, Effizienz a Fäegkeet fir mat héijer Geschwindegkeet moduléiert ze ginn maachen se och gëeegent fir verschidde optesch Kommunikatioun an Dréckapplikatiounen.
Klickt hei fir weider Informatioun iwwer Laser Diode Arrays - Aarbechtsprinzip, Definitioun, an Typen, etc.
Beim Lumispot Tech spezialiséiert mir eis fir modernsten, konduktiv gekillte Laserdiode-Arrays ze liwweren, déi ugepasst sinn fir déi verschidden Ufuerderunge vun eise Clienten ze treffen. Eis QCW (Quasi-Continuous Wave) horizontale Laserdiode-Arrays sinn e Beweis vun eisem Engagement fir Innovatioun a Qualitéit an der Lasertechnologie.
Eis Laserdiode-Stack kënne mat bis zu 20 versammelt Baren personaliséiert ginn, fir eng breet Palette vun Uwendungen a Kraaftbedéngungen ze këmmeren. Dës Flexibilitéit garantéiert datt eis Cliente Produkter kréien déi präzis mat hire spezifesche Bedierfnesser entspriechen.
Aussergewéinlech Kraaft an Effizienz:
De Peak Power Output vun eise Produkter kann en beandrockende 6000W erreechen. Speziell ass eise 808nm Horizontale Stack e Bestseller, mat enger minimaler Wellelängtabweichung bannent 2nm. Dës High-Performance Diode Bars, déi fäeg sinn a béid CW (Continuous Wave) a QCW Modi ze bedreiwen, weisen eng aussergewéinlech elektro-optesch Konversiounseffizienz vun 50% bis 55%, setzen e kompetitive Standard um Maart.
Robust Design a Longevity:
All Bar ass gebaut mat fortgeschratt AuSn Hard Solder Technologie, déi eng kompakt Struktur mat héijer Kraaftdicht an Zouverlässegkeet garantéiert. De robusten Design erlaabt eng effizient thermesch Gestioun an eng héich Peakkraaft, déi d'operativ Liewen vun de Stäck verlängeren.
Stabilitéit an haarden Ëmfeld:
Eis Laser Diode Stacks sinn entwéckelt fir zouverlässeg ënner haarde Konditiounen ze Leeschtunge. Een eenzege Stack, mat 9 Laserbarren, kann eng Ausgangsleistung vun 2,7 kW liwweren, ongeféier 300W pro Bar. Déi haltbar Verpackung erlaabt d'Produkt Temperaturen vun -60 bis 85 Grad Celsius ze widderstoen, fir Stabilitéit a Liewensdauer ze garantéieren.
Villsäiteg Uwendungen:
Dës Laserdiode-Arrays sinn ideal fir eng Vielfalt vun Uwendungen, dorënner Beliichtung, wëssenschaftlech Fuerschung, Detektioun, an als Pompelquell fir Solid-State Laser. Si si besonnesch gëeegent fir industriell Entfernungsmesser wéinst hirer héijer Kraaftoutput a Robustheet.
Ënnerstëtzung an Informatioun:
Fir weider Detailer iwwer eis QCW horizontale Diode Laser-Arrays, inklusiv ëmfaassend Produktspezifikatiounen an Uwendungen, kuckt w.e.g. op d'Produktdatenblieder hei drënner. Eist Team ass och verfügbar fir all Ufroen ze beäntweren an Ënnerstëtzung unzepassen op Är industriell a Fuerschungsbedierfnesser.
Part No. | Wellelängt | Output Power | Spektral Breet | Pulséiert Breet | Nos vun Baren | Download |
LM-X-QY-F-GZ-1 | 8 08nm | 1800 Watt | 3nm vun | 200 μs | ≤9 | Informatiounsblat |
LM-X-QY-F-GZ-2 | 8 08nm | 4000 Watt | 3nm vun | 200 μs | ≤20 | Informatiounsblat |
LM-X-QY-F-GZ-3 | 8 08nm | 1000 Watt | 3nm vun | 200 μs | ≤5 | Informatiounsblat |
LM-X-QY-F-GZ-4 | 8 08nm | 1200 Watt | 3nm vun | 200 μs | ≤6 | Informatiounsblat |
Spezifikatioune vun LM-8XX-Q3600-BG06H3-1 | 8 08nm | 3600 Watt | 3nm vun | 200 μs | ≤18 | Informatiounsblat |
Spezifikatioune vun LM-8XX-Q3600-BG06H3-2 | 8 08nm | 3600 Watt | 3nm vun | 200 μs | ≤18 | Informatiounsblat |