E Laser Diode Array ass e Semiconductor en Apparat besteet aus multiple Laser Domes arrangéiert an enger spezifescher Konfiguratioun, sou eng linear oder zweedimensional Array. Dës Dioden EMIT KOOLARDER Liicht wann en elektresche Stroum duerch si geet. Laser Diode Arrays si bekannt fir hir héijer Muecht Ausgang, als dat kombinéierte Emissioun vun der Array kann wesentlech méi héich Intensiven ze erreechen wéi eng eenzeg Laser d'Diode. Si ginn allgemeng an Uwendungen déi héich Kraaftdicht benotzt, wéi an der materieller Veraarbechtung, medizinesch Behandlungen, an héich Loftschlag. Hir kompakter Gréisst, Effizienz, a féiere vir kënne se och gëeegbar Modasenen ze ginn, schécken och fir verschidde optesch Kommunikatioun an duerch d'Dréckungen.
Klickt hei fir weider Informatioun iwwer Laille d'Siod's - et funktionnéiert, wéi fir Definitioun, datent etc as et.
Am Fumispypot, mir spezialiséiert bei Internipjinten, einfach Kasked-Doroda huet den Droen vun den Diversen Ufroen un eis Clienten ze treffen. Eis QCW (quasi-kontinuéierlech Welle) horizontal Lase-Diode sinn Arrays sinn en Testament fir eisen Engagement a Qualitéit an der Dinnervologologologie.
Eis Laser Diode-Steetes kënnen mat 20 hemrberze Stäre personaliséiert ginn, op enger breet Reilsfuerderunge a Poriquatiounen a Poime Ufuerderungen a Poriceuerderungen a Stroden a Kraaftfuerderunge ze personaliséieren. Dëst flexibel garantéiert datt dës siproduktioun gi fir hir spezifesch Bedierfnesser kréien.
Aussergewéinlech Kraaft an Effizienz:
De Peak Power Output vun eise Produkter kënnen eng beandrockend 6000w erreechen. Speziell, eisen 808NM Horizontal Stack ass e Best-Verkeefer, boasts eng minimal Wellelängt vum 2Nm. Dës Formal-Leeschtung Diode Baren, fäeg sinn a béid cw (kontinuéierlecher Würfeen) an QCW -ts-versichtiséierter Wierksamkeet fir 50% op 55% identesch Verseklanzung.
Robust Design an d'Longervitéit:
All Bar gëtt ugeschlooss mat Spillfäert schwéier sonnpt an enger kompakt Struktur mat héijer Kraaft Dichter an Zouaktivitéite. De CRust Design erlaabt Iech net effizient Smristen ze maachen an héichpakmanzen, verlängert déi nei Liewensräpfen.
Stabilitéit an Harsh Ëmfeld:
Eis Laser Diode Heften sinn entwéckelt fir zouverlässeg ënner haart Bedéngungen ze maachen. Ee Doackback insi insistéieren 9 Laser Barren, kann eng Ausgangsmuecht vun 2,7 kw liwwert, ongeféier 300w pro Bar. D'Verdecker huet d'Procycée och mam Promothéikuren aus-40 Grad entgéintwierken, déi eng Stabilitéit a lieweg.
Verloscht Uwendungen:
Dës Klimaen diod Arréinen ginn Är Applimen mat de ville Applimen zesumme mat verschiddene Applimen. Wëssenschaftsmon, an als eng Pellpellung fir zolidd Siicht. Si si besonnesch lieweg fir industriell Rangeiner wéinst hirer héijer Kraaftausgang a Robustness.
Ënnerstëtzung an Informatioun:
Fir weider Detailer iwwer eise QCW Horizontalen Dioader Laere LAeraer, och ëmfaassend Produktresatiounen an Applikatioun) Kuckt hei ënnendrënner. Eis Equipe ass och verfügbar fir Froen ze beäntweren an d'Ënnerstëtzung fir Är IndustriEL-Wirtschaft entsprécht.
Deel' Nr. | Wellelängt | Ausgab Power | Ekt Breet | Pulsed Breet | Neen vu Baren | Eck erofgesat |
Lm-x-qy-f-gz-1 | 808nm | 1800w | 3nm | 200μs | ≤9 | ![]() |
Lm-x-qy-f-gz-2 | 808nm | 4000w | 3nm | 200μs | ≤20 | ![]() |
Lm-x-qy-f-gz-3 | 808nm | 1000w | 3nm | 200μs | ≤ 35 | ![]() |
Lm-x-qy-f-gz-4 | 808nm | 1200w | 3nm | 200μs | ≤6 | ![]() |
Lm-8xx-q3600-bg06h3-1 | 808nm | 3600w | 3nm | 200μs | ≤18 | ![]() |
Lm-8xx-q3600-bg06h3-2 | 808nm | 3600w | 3nm | 200μs | ≤18 | ![]() |