Abonnéiert Iech op Eis Social Media Fir Prompt Post
De Fortschrëtt vun Halbleiter-Laser-Technologien war transformativ, a féiert bemierkenswäert Verbesserungen an der Leeschtung, der operationeller Effizienz an der Haltbarkeet vun dëse Laser. Héichkraaft Versioune ginn ëmmer méi iwwer e Spektrum vun Uwendungen beschäftegt, rangéiert vu kommerziellen Notzungen an der Laserfabrikatioun, therapeutesche medizinesche Geräter, a visuell Displayléisungen bis strategesch Kommunikatiounen, souwuel terrestresch an extraterrestresch, a fortgeschratt Zilsystemer. Dës raffinéiert Laser sinn un der Spëtzt vun e puer opzedeelen industrielle Secteuren a sinn am Häerz vun der globaler technologescher Rivalitéit tëscht féierende Natiounen.
Aféierung vun der nächster Generatioun Laser Diode Bar Stacks
De Push fir méi kleng a méi effizient Geräter ëmfaassen, eis Entreprise ass houfreg deledningsgekillte SerieLM-808-Q2000-F-G10-P0.38-0. Dës Serie duerstellt e Sprong no vir, integréiert opzedeelen Vakuumkoaleszenzverbindung, Interfacematerial, Fusiounstechnologie an dynamesch thermesch Gestioun fir Produkter ze realiséieren déi héich integréiert sinn, operéieren mat bemierkenswäerter Effizienz, a mat super thermesch Kontroll fir nohalteg Zouverlässegkeet a méi laang Liewensdauer präsentéieren. .
D'Erausfuerderung vu verstäerkter Kraaftkonzentratiounsfuerderunge begéint, gedriwwen duerch d'Industriebreet Verréckelung op Miniaturiséierung, hu mir déi pionéierend LM-808-Q2000-F-G10-P0.38-0 Eenheet konstruéiert. Dëse banebriechende Modell erreecht eng dramatesch Reduktioun vum Pitch vu konventionelle Barprodukter vun 0,73 mm erof op 0,38 mm, wat d'Emissiounsgebitt vum Stack wesentlech kompriméiert. Mat der Kapazitéit fir bis zu 10 Baren ze halen, verstäerkt dës Verbesserung den Output vum Apparat op iwwer 2000W - representéiert eng 92% Erhéijung vun der optescher Kraaftdensitéit iwwer seng Virgänger.
Modular Design
Eise LM-808-Q2000-F-G10-P0.38-0 Modell ass d'Epitom vu virsiichteg Ingenieur, vermëschen Funktionalitéit mat engem kompakten Design deen oniwwertraff Villsäitegkeet bitt. Seng haltbar Konstruktioun an Notzung vun Top-Schouljoer Komponente garantéieren konsequent Operatioun mat minimalem Ënnerhalt, reduzéiert operationell Stéierungen an assoziéiert Käschten - e kritesche Virdeel a Secteuren wéi industriell Fabrikatioun a Gesondheetsariichtung.
Pionéier an Thermal Management Léisunge
De LM-808-Q2000-F-G10-P0.38-0 benotzt superieur thermesch konduktiv Materialien, déi mat dem Koeffizient vun der thermescher Expansioun (CTE) ausgeriicht sinn, fir Uniformitéit an aussergewéinlech Wärmedispersioun ze garantéieren. Mir applizéieren endlech Element Analyse fir d'thermesch Landschaft vum Apparat virauszesoen an ze verwalten, präzis Temperaturreguléierung duerch eng innovativ Kombinatioun vun transienten a steady-state thermesche Modeller z'erreechen.
Richteg Prozess Kontroll
Anhale mat traditionellen awer effektiven Hard-Lod-Schweißmethoden, eis virsiichteg Prozesskontrollprotokoller behalen eng optimal thermesch Dissipatioun, schützen d'operativ Integritéit vum Produkt souwéi seng Sécherheet an d'Längegkeet.
Produit Spezifikatioune
De LM-808-Q2000-F-G10-P0.38-0 Modell ass charakteriséiert duerch säin diminutive Formfaktor, reduzéiert Gewiicht, superieur elektro-optesch Konversiounseffizienz, robust Zouverlässegkeet an eng verlängert operationell Liewensdauer.
| Parameter | Spezifizéierung |
| Produit Modell | LM-808-Q2000-F-G10-P0.38-0 |
| Operatioun Modus | QCW |
| Puls Frequenz | ≤50 Hz |
| Puls Breet | 200 eis |
| Effizienz | ≤1% |
| Bar Pitch | 0,38 mm |
| Kraaft pro Bar | 200 W |
| Zuel vun Baren | ～10 |
| Zentralwellelängt (25°C) | 8 08nm |
| Spektral Breet | 2nm vun |
| Spektral Breet FWHM | ≤4 nm |
| 90% Power Breet | ≤6 nm |
| Fast Axis Divergence (FWHM) | 35 (typesch) ° |
| Slow Axis Divergence (FWHM) | 8 (typesch) ° |
| Cooling Method | TE |
| Wellelängt Temperatur Koeffizient | ≤0,28 nm/°C |
| Operatioun Aktuell | ≤220 A |
| Schwell aktuell | ≤25 A |
| Betribssystemer Volt | ≤2 V |
| Steigungseffizienz pro Bar | ≥1,1 W/A |
| Konversioun Effizienz | ≥55% |
| Operatioun Temperatur | -45-70 °C |
| Späichertemperatur | -55-85 °C |
| Service Liewen | ≥1×10⁹ Schëss |
Mooss High-Power, Kompakt Semiconductor Laser Léisunge
Eis avantgardistesch, kompakt, High-Power Halbleiter Laser Stacks sinn entwéckelt fir héich adaptéierbar ze sinn. Moossbar fir individuell Clientspezifikatiounen ze treffen, dorënner Barzuel, Kraaftoutput, a Wellelängt, eis Produkter sinn en Testament fir eisen Engagement fir villsäiteg an innovativ Léisungen ze bidden. De modulare Kader vun dësen Eenheeten garantéiert datt se op eng grouss Gamme vu Gebrauch ugepasst kënne ginn, fir eng divers Clientèle ze këmmeren. Eis Engagement fir Pionéierpersonal personaliséiert Léisungen huet zu der Schafung vu Barprodukter mat oniwwertraff Kraaftdicht gefouert, d'Benotzererfarung op Weeër verbessert, déi ni virdrun méiglech ass.
Post Zäit: Dez-25-2023