Aféierung
Mat schnelle Fortschrëtter an der Hallefleit Laser Theorie, Materialien, Fabrikatiounsprozesser, a Verpackungstechnologien, zesumme mat kontinuéierleche Verbesserungen an der Kraaft, Effizienz a Liewensdauer, ginn High-Power Halbleiterlaser ëmmer méi als direkt oder pompelen Liichtquelle benotzt. Dës Laser ginn net nëmme wäit an der Laserveraarbechtung, medizinesche Behandlungen a Displaytechnologien applizéiert, awer si sinn och entscheedend an der optescher Kommunikatioun, Atmosphär Sensing, LIDAR an Zilerkennung. Héichkraaft Halbleiterlaser si pivotal an der Entwécklung vu verschiddenen High-Tech Industrien a representéieren e strategesche kompetitive Punkt tëscht den entwéckelte Natiounen.
Multi-Peak Semiconductor Stacked Array Laser mat Fast-Axis Collimation
Als Kärpompelquelle fir Feststoff- a Glasfaser-Laser weisen Hallefleit-Laser eng Wellelängtverschiebung op de roude Spektrum wéi d'Aarbechtstemperaturen eropgoen, typesch ëm 0,2-0,3 nm/°C. Dëse Drift kann zu engem Mëssverständnis tëscht den Emissiounslinne vun den LDs an den Absorptiounslinne vun de feste Gewënnmedien féieren, d'Absorptiounskoeffizient erofsetzen an d'Laserausgangseffizienz wesentlech reduzéieren. Typesch gi komplex Temperaturkontrollsystemer benotzt fir d'Laser ze killen, wat d'Gréisst vum System an d'Energieverbrauch erhéijen. Fir d'Ufuerderunge fir Miniaturiséierung an Uwendungen wéi autonom Fueren, Laser Ranging, a LIDAR z'erreechen, huet eis Firma déi Multi-Peak, konduktiv gekillte gestapelte Array Serie LM-8xx-Q4000-F-G20-P0.73-1 agefouert. Duerch d'Erweiderung vun der Unzuel vun den LD-Emissiounslinnen hält dëst Produkt eng stabil Absorptioun vum zolitte Gewënnmedium iwwer e breet Temperaturberäich, reduzéiert den Drock op Temperaturkontrollsystemer a reduzéiert d'Gréisst vum Laser an d'Energieverbrauch, wärend en héijen Energieoutput assuréiert. Mat fortgeschrattene Bare Chip Testsystemer, Vakuum Koaleszenzverbindung, Interface Material a Fusiounstechnik, a transient thermesch Gestioun, kann eis Firma präzis Multi-Peak Kontroll, héich Effizienz, fortgeschratt thermesch Gestioun erreechen, a laangfristeg Zouverlässegkeet a Liewensdauer vun eisem Array garantéieren. Produiten.
Bild 1 LM-8xx-Q4000-F-G20-P0.73-1 Produktdiagramm
Produit Fonctiounen
Kontrolléierbar Multi-Peak Emissioun Als Pompelquell fir Solid-State Laser, gouf dësen innovative Produkt entwéckelt fir de stabile Betribstemperaturberäich auszebauen an d'Thermalmanagementsystem vum Laser ze vereinfachen am Zesummenhang mat Trends Richtung Halbleiterlaser Miniaturiséierung. Mat eisem fortgeschrattene Bare Chip Testsystem kënne mir Bar Chip Wellelängten a Kraaft präzis auswielen, wat d'Kontroll iwwer d'Produktwellelängteberäich, Abstand a multiple kontrolléierbar Peaks (≥2 Peaks) erlaabt, wat d'operativ Temperaturberäich erweidert an d'Pompelabsorptioun stabiliséiert.
Bild 2 LM-8xx-Q4000-F-G20-P0.73-1 Produktspektrogramm
Schnellachs Kompressioun
Dëst Produkt benotzt mikro-optesch Lënse fir Schnellachs Kompressioun, maacht de Schnellachs Divergenzwinkel no spezifesche Viraussetzunge fir d'Strahlenqualitéit ze verbesseren. Eis Schnellachs Online Kollimatiounssystem erlaabt Echtzäit Iwwerwaachung an Upassung während dem Kompressiounsprozess, fir sécherzestellen datt de Fleckprofil sech gutt un d'Ëmwelttemperatur Ännerungen upassen, mat enger Variatioun vu <12%.
Modular Design
Dëst Produkt kombinéiert Präzisioun a Praktikitéit a sengem Design. Charakteriséiert duerch säi kompakten, streamlined Erscheinungsbild, bitt et héich Flexibilitéit am praktesche Gebrauch. Seng robust, haltbar Struktur an héich Zouverlässegkeet Komponente garantéieren laangfristeg stabil Operatioun. De modulare Design erlaabt eng flexibel Personnalisatioun fir de Bedierfnesser vun de Clienten z'erreechen, dorënner Wellelängt Personnalisatioun, Emissiounsabstand a Kompressioun, wat d'Produkt versatile an zouverlässeg mécht.
Thermesch Management Technologie
Fir den LM-8xx-Q4000-F-G20-P0.73-1 Produkt benotze mir héich thermesch Konduktivitéitsmaterialien, déi dem CTE vun der Bar passen, fir d'Materialkonsistenz an eng exzellente Wärmevergëftung ze garantéieren. Finite Element Methoden gi benotzt fir den thermesche Feld vum Apparat ze simuléieren an ze berechnen, effektiv kombinéiert transient a steady-state thermesch Simulatioune fir Temperaturvariatioune besser ze kontrolléieren.
Figur 3 Thermal Simulatioun vun LM-8xx-Q4000-F-G20-P0.73-1 Produit
Prozess Kontroll Dëse Modell benotzt traditionell schwéier solder Schweess Technologie. Duerch Prozesskontrolle garantéiert et eng optimal Wärmevergëftung bannent de festgeluegten Abstand, net nëmmen d'Funktionalitéit vum Produkt z'erhalen, awer och seng Sécherheet an Haltbarkeet ze garantéieren.
Produit Spezifikatioune
De Produkt weist kontrolléierbar Multi-Peak Wellelängten, kompakt Gréisst, Liichtgewiicht, héich elektro-optesch Konversiounseffizienz, héich Zouverlässegkeet a laang Liewensdauer. Eis lescht Multi-Peak-Halbleiter-Stacked Array Bar Laser, als Multi-Peak-Halbleiter-Laser, suergt dofir datt all Wellelängtspëtz kloer sichtbar ass. Et kann präzis personaliséiert ginn no spezifesche Clientsbedürfnisser fir Wellelängtfuerderungen, Abstand, Barzuel, an Ausgangskraaft, wat seng flexibel Konfiguratiounsfeatures demonstréiert. De modulare Design passt sech un eng breet Palette vun Uwendungsëmfeld un, a verschidde Modulkombinatiounen kënne verschidde Clientebedürfnisser treffen.
Modell Zuel | LM-8xx-Q4000-F-G20-P0.73-1 | |
Technesch Spezifikatioune | Eenheet | Wäert |
Operatioun Modus | - | QCW |
Operatioun Frequenz | Hz | 20 |
Puls Breet | us | 200 |
Bar Ofstand | mm | 0, 73 |
Peak Power pro Bar | W | 200 |
Zuel vun Baren | - | 20 |
Zentralwellelängt (bei 25°C) | nm | A:798±2;B:802±2;C:806±2;D:810±2;E:814±2; |
Fast-Axis Divergence Angle (FWHM) | ° | 2-5 (typesch) |
Slow-Axis Divergence Angle (FWHM) | ° | 8 (typesch) |
Polariséierungsmodus | - | TE |
Wellelängt Temperatur Koeffizient | nm/°C | ≤0,28 |
Operatioun Aktuell | A | ≤220 |
Schwell aktuell | A | ≤25 |
Betribsspannung / Bar | V | ≤2 |
Steigung Effizienz / Bar | W/A | ≥1.1 |
Konversioun Effizienz | % | ≥55 |
Operatioun Temperatur | °C | -45-70 |
Späichertemperatur | °C | -55-85 |
Liewensdauer (Schëss) | - | ≥109 |
Typesch Wäerter vun Testdaten ginn hei ënnen gewisen:
Post Zäit: Mee-10-2024